1. IPP126N10N3 G
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPP126N10N3 G 

产品描述

MOSFET N-KANAL POWER MOS

内部编号

173-IPP126N10N3-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:190
10+¥6.3745
20+¥6.27
50+¥6.213
100+¥6.1465
200+¥6.08
最小起订量:10
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#2

数量:670
10+¥6.6975
20+¥6.5835
50+¥6.517
100+¥6.4505
200+¥6.384
最小起订量:10
英国伦敦
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#3

数量:1000
50+¥7.464
最小起订量:50
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPP126N10N3 G产品详细规格

规格书 IPP126N10N3 G datasheet 规格书
IPB123N10N3 G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 58A
Rds(最大)@ ID,VGS 12.3 mOhm @ 46A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3.5V @ 46µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 35nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2500pF @ 50V
功率 - 最大 94W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 PG-TO220-3
包装材料 Tube

IPP126N10N3 G系列产品

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